Optimierung der Niedrigdruckgasphasenepitaxie von Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs mit N$_{2}$ als Trägergas

Ungermanns, C.

Book/Report

FZJ-2018-06988

Optimierung der Niedrigdruckgasphasenepitaxie von Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs mit N$_{2}$ als Trägergas

Ungermanns, C. (Corresponding author)FZJ*

1994
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag Jülich

Jülich : Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag, Berichte des Forschungszentrums Jülich 2963, II, 95 p. (1994)

Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/20277

Report No.: Juel-2963

Abstract: Gegenstand dieser Arbeit war die Optimierung des Wachstumsprozesses von undotiertem GaAs und Al$_{x}$Ga$_{1_x}$As sowie von $\textit{p}$-dotiertem GaAs mittels der Niedrigdruckgasphasenepitaxie (LP-MOVPE) im Hinblick auf HBT- und HEMT-Anwendungen. Zur Herstellung hochreinen Materials wurden nicht die üblicherweise in der MOVPE verwendeten Gruppe-III-Verbindungen als Ausgangsstoffe benutzt, sondern alternative metallorganische Quellen. Variiert wurden das Trägergas sowie die Prozeßparameter Wachstumstemperatur und das V/lll-Verhältnis. Die Qualität der abgeschiedenen Schichten wurde mittels elektrischer und optischer Charakterisierungsmethoden beurteilt, urn eine vergleichende Untersuchung der für diese Zwecke geeignetesten Quellenkombination durchzuführen. So ergab sich das bezüglich seiner optischen Eigenschaften beste GaAs mit N$_{2}$ als Trägergas und der Quellen TEGa und AsH$_{3}$ bei einer Depositionstemperatur von 550°C. Bei fast gleich guter Kristallqualität wurde gegenüber der GaAs-Abscheidung mit TMGa und AsH$_{3}$ ein eindeutig geringerer Kohlenstoffeinbau nachgewiesen, was die theoretischen Überlegungen voll bestätigte. Welches der beiden Ausgangsmaterialien allerdings für den technologischen Einsatz eher verwendet werden sollte, läßt sich a priori nur schwer abschätzen. Die Entscheidung darüber muß letztlich anhand des Bauelementes selbst getroffenwerden. Die Kombination aus DMEAAl und TEGa eignete sich für das Wachstum von Al$_{x}$Ga$_{1_x}$As ganz ausgezeichnet. So konnte der Kohlenstoff- und Sauerstoffeinbau erwartungsgemäß um ein Vielfaches gegenüber dem standardmäßig mit TMAl und TMGa abgeschiedenen Material reduziert worden. Bei der favorisierten Wachstumstemperatur von 700°C gelang mit einem [...]

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